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extra geladeira,Participe da Maior Festa de Jogos Online com Hostess, Onde a Competição Nunca Para e a Diversão É Garantida 24 Horas por Dia..O transistor de efeito de campo de metal-óxido-semicondutor (''MOSFET'') de porta flutuante (''FGMOS'') foi inventado por Dawon Kahng e Simon Sze nos laboratórios da ''Bell'' em 1967. Eles propuseram o conceito de células de memória de porta flutuante, usando transistores de efeito de campo de metal-óxido-semicondutor (''MOSFET'') de porta flutuante (''FGMOS''), que poderiam ser usados para produzir memória somente leitura (''ROM'') reprogramável. Células de memória de porta flutuante mais tarde se tornaram a base para tecnologias de memória não volátil (''NVM''), incluindo a memória somente leitura programável apagável (''EPROM''), a memória somente leitura programável apagável eletricamente (''EEPROM'') e a memória ''flash''.,O Boulevard du Temple foi inaugurado entre 1656 e 1705 através do Bastião do Templo do Muro de Carlos V, destruído sob Luís XIV. Os seus números ímpares combinavam com a forma arredondada do contorno exterior deste antigo bastião. Os números 42 a 48 mantiveram esta orientação, tendo sido reconstruídos os seguintes edifícios em direcção à Place de la République em alinhamento durante o desenvolvimento desta praça, o que explica o desnível entre os números 48 e 50..
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